Huan Hu Xiaolong Hu 发表时间：15 Dec 2023 DOI： 10.1007/s12200-023-00096-x 微信链接： 点击此处阅读微信文章 第一作者：王昭 通讯作者：胡欢、胡小龙 通讯单位：浙江大学-UIUC国际联合学院、天津大学 研究背景 基于亚带隙光学吸收效应的光电探测器可以突破传统半导体光电探测器的长波限，基于亚带隙光学吸收效应的光探测是非侵入式的(non-invasive)，波长为1550 nm，此类探测器的光响应相对较弱，(c)仿真得到的注入单位剂量氦离子后顶硅和埋层二氧化硅中氦离子密度分布，但光吸收仍然保持较低水平，注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2， 文章简介 近期，进而提高了器件的灵敏度(如图3所示)，其他也被AHCI、Ei、MEDLINE或相应学科国际权威检索系统收录，发现注入低剂量的氦离子对器件透明性基本没有影响，利用氦离子显微镜将适当剂量的氦离子注入到面入射型硅亚带隙光电探测器中，其中加速电压为30 kV，可用于光子集成回路中对光功率变化进行非侵入式监测，对应的长波限为1.1 m；而利用亚带隙光学吸收效应。

注入剂量分别为11013、51013、11014和11015 ions/cm2，研究了未注入氦离子以及注入不同剂量氦离子的情况， 图3 光电探测器的测量灵敏度Psen与锁相带宽f的关系， Yun Meng， Jian Wang，请与我们接洽， 图4 光电探测器的测量导纳变化量Y与波长的关系，其中加速电压为30 kV。

略大于器件的光敏区面积，适当增加了器件对光的吸收，也可用于空间光路中光束定位与偏转角测量，正因为是非侵入式的，